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GermanyMGSF2N02ELT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
MGSF2N02ELT1G
摘要
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
61 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
MGSF2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
MGSF2N02ELT1GOS-ND
2156-MGSF2N02ELT1G-OS
ONSONSMGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1GOSDKR
MGSF2N02ELT1GOSCT
MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi MGSF2N02ELT1G
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规格书
1(MGSF2N02EL, MVSF2N02EL)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 07/Sep/2019)
HTML 规格书
1(MGSF2N02EL, MVSF2N02EL)
EDA 模型
1(MGSF2N02ELT1G by Ultra Librarian)
价格
数量: 75000
单价: $0.85173
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
型号 : MVSF2N02ELT1G
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替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥3.16000
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型号 : DMN2046U-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 297,459
单价. : ¥3.00000
替代类型. : 类似
库存 : 297,459
单价. : ¥3.00000
替代类型. : 类似
型号 : BSS806NEH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 93,162
单价. : ¥3.64000
替代类型. : 类似
库存 : 93,162
单价. : ¥3.64000
替代类型. : 类似