IPP65R190E6XKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPP65R190E6XKSA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3

详情

通孔 N 通道 650 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO220-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

190 毫欧 @ 7.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 730µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

73 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1620 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

151W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP65R190

其它名称

INFINFIPP65R190E6XKSA1

SP000849876

2156-IPP65R190E6XKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP65R190E6XKSA1

价格

数量: 5000

单价: $15.47353
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $16.07796
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $16.92415
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $20.0673
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $23.5731
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $28.771
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $32.04
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FCP150N65F

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥43.41000
替代类型. : 类似

型号 : STP24NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,000
单价. : ¥26.23000
替代类型. : 类似

型号 : STP24N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,000
单价. : ¥22.82000
替代类型. : 类似

型号 : STP26N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.69838
替代类型. : 类似

型号 : STP28N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,050
单价. : ¥26.47000
替代类型. : 类似

型号 : STP21N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 19
单价. : ¥41.82000
替代类型. : 类似

型号 : TK17E65W,S1X

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥21.65560
替代类型. : 类似

型号 : STP28N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 950
单价. : ¥27.67000
替代类型. : 类似

AC0603FR-0711R5L MKP385327063JFM2B0 FTR-117-55-L-D 2220J1000122GCR SIT1602BC-13-28N-48.000000

IPP65R190E6XKSA1

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