元器件型号详细信息

原厂型号
NSS30100LT1G
摘要
TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 1 A 100MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
650mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值
310 mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
基本产品编号
NSS30100

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

NSS30100LT1GOSTR
NSS30100LT1GOSDKR
2156-NSS30100LT1G-OS
NSS30100LT1G-ND
ONSONSNSS30100LT1G
=NSS30100LT1GOSCT-ND
NSS30100LT1GOSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/onsemi NSS30100LT1G

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规格书
1(NSS30100LT1G)
环保信息
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HTML 规格书
1(NSS30100LT1G)
EDA 模型
()

价格

数量: 75000
单价: $0.80682
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.83834
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1

替代型号

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制造商 : onsemi
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制造商 : onsemi
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单价. : ¥4.05000
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库存 : 88
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型号 : PBSS5140T,215
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 15,510
单价. : ¥3.26000
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