FDB5645

元器件型号详细信息

原厂型号

FDB5645

摘要

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 80A（Ta） 125W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9.5 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

107 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4468 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

125W（Tc）

工作温度

-65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FDB564

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB5645

价格

-

替代型号

型号 : IRFS3607TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 31,051
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似

型号 : BUK768R3-60E,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,160
单价. : ¥15.71000
替代类型. : 类似

型号 : IPB081N06L3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,600
单价. : ¥14.58000
替代类型. : 类似

型号 : STB141NF55

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.39298
替代类型. : 类似

型号 : IXTA90N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥20.89460
替代类型. : 类似

型号 : IPB80N06S209ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 532
单价. : ¥24.38000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN015-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 23,115
单价. : ¥11.02000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN7R6-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 8,600
单价. : ¥13.28000
替代类型. : 类似

型号 : IPB090N06N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.61000
替代类型. : 类似

型号 : AOB470L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥8.45394
替代类型. : 类似

型号 : STB60NF06LT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥16.93000
替代类型. : 类似

VJ0603Y681MXBAP 3.14.200.923/0000 MTMM-120-08-T-D-070 MWSD1005C3N0STM81 SFSDT-05-28-G-03.94-S

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