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GermanySIA778DJ-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIA778DJ-T1-GE3
摘要
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
详情
MOSFET - 阵列 12V，20V 4.5A，1.5A 6.5W，5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
12V，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A，1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
500pF @ 6V
功率 - 最大值
6.5W，5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 双
基本产品编号
SIA778
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIA778DJT1GE3
SIA778DJ-T1-GE3CT
SIA778DJ-T1-GE3DKR
SIA778DJ-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIA778DJ-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SIA778DJ)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN 设计/规格
1(SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015)
HTML 规格书
1(SIA778DJ)
价格
-
替代型号
型号 : SIA910EDJ-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 30,646
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥4.69000
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