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GermanySI7911DN-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI7911DN-T1-GE3
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
详情
MOSFET - 阵列 20V 4.2A 1.3W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
51 毫欧 @ 5.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 双
基本产品编号
SI7911
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI7911DN-T1-GE3CT
SI7911DN-T1-GE3TR
SI7911DN-T1-GE3DKR
SI7911DNT1GE3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI7911DN-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI7911DN)
PCN 产品变更/停产
1(PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014)
HTML 规格书
1(SI7911DN)
价格
-
替代型号
型号 : SI7913DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,700
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥13.04000
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