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GermanyFDY2000PZ
元器件型号详细信息
原厂型号
FDY2000PZ
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F
详情
MOSFET - 阵列 20V 350mA 446mW 表面贴装型 SOT-563F
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100pF @ 10V
功率 - 最大值
446mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563F
基本产品编号
FDY20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDY2000PZ-ND
FDY2000PZCT
FDY2000PZDKR
FDY2000PZTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDY2000PZ
相关文档
规格书
1(FDY2000PZ)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
EDA 模型
1(FDY2000PZ by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDY1002PZ
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥4.53000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥4.53000
替代类型. : 直接
型号 : EM6J1T2R
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 736
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.50000
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型号 : PMDT670UPE,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 8,390
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似
型号 : SI1023X-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
库存 : 6
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似