IPD096N08N3GBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD096N08N3GBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

73A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9.6 毫欧 @ 46A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 46µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2410 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

100W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD096N

其它名称

IPD096N08N3GBTMA1TR

IPD096N08N3 G-ND

2156-IPD096N08N3GBTMA1-ITTR-ND

IPD096N08N3 G

SP000474196

2156-IPD096N08N3GBTMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD096N08N3GBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD096N08N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥11.13000
替代类型. : 参数等效

型号 : TK33S10N1Z,LQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 3,740
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似

型号 : STD85N10F7AG

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥18.44000
替代类型. : 类似

型号 : STD100N10F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 27,552
单价. : ¥22.89000
替代类型. : 类似

型号 : FDD86369-F085

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似

型号 : SQD50N10-8M9L_GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥13.91000
替代类型. : 类似

型号 : SUD70090E-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似

型号 : STD80N10F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,077
单价. : ¥17.17000
替代类型. : 类似

型号 : AOD2810

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥3.97320
替代类型. : 类似

DB-202212-60/120 3M F9460PC 0.75 X 9-100 D38999/26WC4HC 9T12062A9102BAHFT TCSD-10-D-02.87-01-F-N

IPD096N08N3GBTMA1

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