元器件型号详细信息

原厂型号
BUB323ZT4
摘要
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 350 V 10 A 2MHz 150 W 表面贴装型 D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
10 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
350 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1.7V @ 250mA,10A
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
500 @ 5A,4.6V
功率 - 最大值
150 W
频率 - 跃迁
2MHz
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK
基本产品编号
BUB323

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/onsemi BUB323ZT4

相关文档

规格书
1(BUB323Z)
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
1(BUB323Z)
EDA 模型
()

价格

-

替代型号

型号 : BUB323ZT4G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥24.09000
替代类型. : 直接
型号 : NJVBUB323ZT4G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 参数等效
型号 : BUB941ZTT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.47000
替代类型. : 类似