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20250729
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元器件资讯
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NTD65N03R-1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTD65N03R-1G
摘要
MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
详情
通孔 N 通道 25 V 9.5A(Ta),32A(Tc) 1.3W(Ta),50W(Tc) I-PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.5A(Ta),32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta),50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
基本产品编号
NTD65
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNTD65N03R-1G
2156-NTD65N03R-1G-ON
=NTD65N03R
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTD65N03R-1G
相关文档
规格书
1(NTD65N03R)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 11/Jul/2008)
HTML 规格书
1(NTD65N03R)
价格
-
替代型号
-
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