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最后更新

20250716
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BSC019N06NSATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号
BSC019N06NSATMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 136W（Ta） PG-TDSON-8 FL
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
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技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.95 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 74µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5250 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FL
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC019

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSC019N06NSATMA1-ND
BSC019N06NSATMA1TR
BSC019N06NSATMA1CT
BSC019N06NSATMA1DKR
SP001407774

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC019N06NSATMA1

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规格书
1(BSC019N06NS)

价格

数量: 5000
单价: $10.02005
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
数量: 1000
单价: $10.74879
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.54016
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 250
单价: $14.33152
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.2632
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 25
单价: $17.9152
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.992
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.15
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.15
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : CSD18540Q5BT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 3,614
单价. : ¥24.33000
替代类型. : 类似

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