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元器件型号详细信息
原厂型号
RJK6015DPM-00#T1
摘要
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
详情
通孔 N 通道 600 V 21A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3PFM
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
RJK6015
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc RJK6015DPM-00#T1
相关文档
规格书
1(RJK6015DPM-00#T1)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(RJK6015DPM-00#T1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : TK39N60W5,S1VF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 878
单价. : ¥64.47000
替代类型. : 类似
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