元器件型号详细信息

原厂型号
CSD87501L
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
详情
MOSFET - 阵列 2.5W 表面贴装型 10-Picostar(3.37x1.47)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
10-XFLGA
供应商器件封装
10-Picostar(3.37x1.47)
基本产品编号
CSD87501

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TEXTISCSD87501L
296-40013-6
2156-CSD87501L
-296-40013-1-ND
296-40013-2
CSD87501L-ND
296-40013-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD87501L

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规格书
1(CSD87501L)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD87501L Specifications)
HTML 规格书
1(CSD87501L)

价格

数量: 3000
单价: $3.51783
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.51783
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.45592
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 250
单价: $5.04216
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.394
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 25
单价: $6.5668
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.916
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.71
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
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数量: 25
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最小包装数量: 1
数量: 10
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数量: 1
单价: $7.71
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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