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GermanyIRF6201PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6201PBF
摘要
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 27A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
95
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.45 毫欧 @ 27A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
195 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8555 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRF6201PBF-IT
INFINFIRF6201PBF
SP001570096
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6201PBF
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产品培训模块
()
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 零件状态变更
1(Pkg Type Disc 16/May/2016)
HTML 规格书
1(IRF6201TRPBF)
EDA 模型
1(IRF6201PBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRF6201PBF Saber Model)
价格
数量: 3800
单价: $4.61611
包装: 管件
最小包装数量: 3800
包装: 管件
最小包装数量: 3800
替代型号
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