English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXTH20N60
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTH20N60
摘要
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详情
通孔 N 通道 600 V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
MegaMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXTH20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
IXTH20N60-NDR
Q3228128
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTH20N60
相关文档
规格书
1(IXT(H,M)20N60)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
HTML 规格书
1(IXT(H,M)20N60)
价格
-
替代型号
型号 : IXTH26N60P
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥53.81867
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥53.81867
替代类型. : 类似
型号 : SPW15N60C3FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 234
单价. : ¥44.06000
替代类型. : 类似
库存 : 234
单价. : ¥44.06000
替代类型. : 类似
型号 : SPW20N60C3FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,899
单价. : ¥53.95000
替代类型. : 类似
库存 : 1,899
单价. : ¥53.95000
替代类型. : 类似
型号 : AOK20N60L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 239
单价. : ¥34.91000
替代类型. : 类似
库存 : 239
单价. : ¥34.91000
替代类型. : 类似
型号 : IPW60R099CPFKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6
单价. : ¥83.27000
替代类型. : 类似
库存 : 6
单价. : ¥83.27000
替代类型. : 类似
型号 : SPW35N60CFDFKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 620
单价. : ¥91.45000
替代类型. : 类似
库存 : 620
单价. : ¥91.45000
替代类型. : 类似