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GermanySTP10N62K3
元器件型号详细信息
原厂型号
STP10N62K3
摘要
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
详情
通孔 N 通道 620 V 8.4A（Tc） 125W（Tc） TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH3™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1250 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-9099-5
1805-STP10N62K3
497-9099-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP10N62K3
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规格书
1(STx(x)10N62K3)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013)
PCN 组装/来源
1(TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013)
HTML 规格书
1(STx(x)10N62K3)
价格
数量: 500
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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