元器件型号详细信息

原厂型号
STS1DN45K3
摘要
MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 450V 500mA 1.3W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH3™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
450V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150pF @ 25V
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
STS1D

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-497-10780-1
-497-10780-2
497-10780-2
497-10780-1
497-10780-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/STMicroelectronics STS1DN45K3

相关文档

规格书
1(STS1DN45K3)
HTML 规格书
1(STS1DN45K3)

价格

-

替代型号

-