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GermanyHUF76629D3ST
元器件型号详细信息
原厂型号
HUF76629D3ST
摘要
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 20A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
UltraFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1285 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
HUF76629
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-ND
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi HUF76629D3ST
相关文档
规格书
1(HUF76629D3ST-F085)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 14/Dec/2022)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(HUF76629D3ST-F085)
价格
数量: 2500
单价: $10.11355
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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替代型号
型号 : NTD6415ANLT4G
制造商 : onsemi
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