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GermanyGB01SLT12-252
元器件型号详细信息
原厂型号
GB01SLT12-252
摘要
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
详情
二极管 1200 V 1A 表面贴装型 TO-252
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
SiC Schottky MPS™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 1 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
2 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
69pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
GB01SLT12
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
1242-1126-ND
1242-1126-6
1242-1126-2
1242-1126
1242-1126-1
GB01SLT12252
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252
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规格书
1(GB01SLT12-252)
特色产品
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价格
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包装: 卷带（TR）
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