元器件型号详细信息

原厂型号
2SJ162-E
摘要
MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
详情
通孔 P 通道 160 V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
160 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
900 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-220-3 整包

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Renesas Electronics America Inc 2SJ162-E

相关文档

规格书
1(2SJ160-62)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(2SJ162-E by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

-