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元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRF1018ES
摘要
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
79A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.4 毫欧 @ 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2290 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRF1018ES
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规格书
1(AUIRF1018ES)
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产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 13/May/2020)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRF1018ES)
价格
-
替代型号
型号 : IPB081N06L3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似
型号 : IPB090N06N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.41000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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型号 : BUK768R3-60E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,160
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型号 : STB130N6F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 981
单价. : ¥17.57000
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型号 : FDB088N08
制造商 : onsemi
库存 : 334
单价. : ¥23.37000
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型号 : IXTA90N055T2
制造商 : IXYS
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单价. : ¥20.50760
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库存 : 0
单价. : ¥20.50760
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型号 : PSMN015-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN7R6-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似