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GermanyR1RW0416DSB-2LR#B0
元器件型号详细信息
原厂型号
R1RW0416DSB-2LR#B0
摘要
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
详情
SRAM 存储器 IC 4Mb 并联 12 ns 44-TSOP II
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
托盘
Product Status
停产
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM
存储容量
4Mb
存储器组织
256K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
12ns
访问时间
12 ns
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
44-TSOP II
基本产品编号
R1RW0416
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc R1RW0416DSB-2LR#B0
相关文档
规格书
1(R1RW0416D Series)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 15/Jun/2018)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
价格
-
替代型号
型号 : R1RW0416DSB-2LR#D1
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥44.57304
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥44.57304
替代类型. : 直接