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元器件型号详细信息
原厂型号
SIHB33N60ET1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 33A（Tc） 278W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
99 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3508 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SIHB33
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHB33N60ET1-GE3-ND
SIHB33N60ET1-GE3TR
SIHB33N60ET1-GE3CT
SIHB33N60ET1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHB33N60ET1-GE3
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规格书
1(SiHB33N60E)
特色产品
1(MOSFETs in 5G)
HTML 规格书
1(SiHB33N60E)
价格
数量: 800
单价: $30.76185
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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