IRFB3206GPBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRFB3206GPBF

摘要

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

详情

通孔 N 通道 60 V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

管件

Product Status

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

170 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

6540 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IRFB3206

其它名称

2156-IRFB3206GPBF

INFINFIRFB3206GPBF

SP001565784

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFB3206GPBF

价格

数量: 5000

单价: $10.44034
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $10.84188
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $11.64502
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $14.05432
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $17.1058
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $21.282
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $23.69
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRFB3206PBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,173
单价. : ¥18.52000
替代类型. : 直接

型号 : AOT266L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 965
单价. : ¥19.24000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN3R0-60PS,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥29.97000
替代类型. : 类似

型号 : FDP030N06

制造商 : onsemi
库存 : 895
单价. : ¥38.48000
替代类型. : 类似

型号 : DMTH6004SCT

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥13.14760
替代类型. : 类似

型号 : FDP038AN06A0

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥29.89000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN4R6-60PS,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥22.82000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN7R6-60PS,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,555
单价. : ¥16.54000
替代类型. : 类似

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IRFB3206GPBF

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