元器件型号详细信息

原厂型号
DMG4800LK3-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 10A(Ta) 1.71W(Ta) TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.7 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
798 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.71W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
DMG4800

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMG4800LK3-13

相关文档

规格书
1(DMG4800LK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(DMG4800LK3)

价格

数量: 25000
单价: $1.4029
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $1.47962
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $1.58922
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $1.69883
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $1.86322
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.4112
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.0687
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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单价: $4.77
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : AOD480
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 1,967
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 类似