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GermanyNTHS4111PT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTHS4111PT1G
摘要
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 3.3A（Ta） 700mW（Ta） ChipFET™
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 24 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
ChipFET™
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
基本产品编号
NTHS41
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
ONSONSNTHS4111PT1G
2156-NTHS4111PT1G-ONTR-ND
2156-NTHS4111PT1G
NTHS4111PT1GOSCT
NTHS4111PT1GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTHS4111PT1G
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规格书
1(NTHS4111P)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 31/Mar/2005)
HTML 规格书
1(NTHS4111P)
价格
-
替代型号
-