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元器件型号详细信息
原厂型号
HAT2299WP-EL-E
摘要
MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 14A（Ta） 25W（Tc） 8-WPAK（3）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
710 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WPAK（3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
HAT2299
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc HAT2299WP-EL-E
相关文档
规格书
1(HAT2299WP)
EDA 模型
1(HAT2299WP-EL-E by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDMC86244
制造商 : onsemi
库存 : 3,000
单价. : ¥10.18000
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