元器件型号详细信息

原厂型号
FF200R12MT4BOMA1
摘要
IGBT MODULE 1200V 1050W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 1050 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
14

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
EconoDUAL™ 2
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
功率 - 最大值
1050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值)
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
14 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF200R12

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

INFINFFF200R12MT4BOMA1
FF200R12MT4
2156-FF200R12MT4BOMA1-IT
FF200R12MT4-ND
SP000364057

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FF200R12MT4BOMA1

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规格书
1(FF200R12MT4)
PCN 产品变更/停产
1(FF200R12MT4 EOL 7/Aug/2017)
HTML 规格书
1(FF200R12MT4)

价格

-

替代型号

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