SI4622DY-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SI4622DY-T1-GE3

摘要

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

详情

MOSFET - 阵列 30V 8A 3.3W，3.1W 表面贴装型 8-SOIC

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

SkyFET®, TrenchFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

16 毫欧 @ 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

60nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2458pF @ 15V

功率 - 最大值

3.3W，3.1W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

SI4622

其它名称

SI4622DYT1GE3

SI4622DY-T1-GE3CT

SI4622DY-T1-GE3TR

SI4622DY-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI4622DY-T1-GE3

价格

-

替代型号

型号 : SI4816BDY-T1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 8
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似

型号 : DMG4800LSD-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 27,894
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似

型号 : ZXMN3G32DN8TA

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 9
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似

型号 : BSO220N03MDGXUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 14,565
单价. : ¥7.39000
替代类型. : 类似

型号 : FDS8984

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥5.88000
替代类型. : 类似

型号 : FDS6912A

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似

型号 : HAT2092R-EL-E

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : ZXMN3F31DN8TA

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 5,627
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似

型号 : IRF7313TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 960
单价. : ¥7.31000
替代类型. : 类似

型号 : DMN3024LSD-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 110,518
单价. : ¥5.41000
替代类型. : 类似

型号 : AUIRF7313QTR

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,739
单价. : ¥19.95000
替代类型. : 类似

380010298 HW-04-20-G-D-702-SM L02011R5BHSTR\\500 EW-36-13-G-S-800 LXP1004-23-2

SI4622DY-T1-GE3

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