元器件型号详细信息

原厂型号
R6030KNX
摘要
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
详情
通孔 N 通道 600 V 30A(Tc) 86W(Tc) TO-220FM
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
130 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
56 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2350 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
86W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FM
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
R6030

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

R6030KNXTR
R6030KNXDKRINACTIVE
R6030KNXDKR
R6030KNXCT
R6030KNXCTINACTIVE
R6030KNXDKR-ND
R6030KNXTR-ND
R6030KNXCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Rohm Semiconductor R6030KNX

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EDA 模型
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仿真模型
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价格

数量: 5000
单价: $14.87306
包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $15.45406
包装: 散装
最小包装数量: 1
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包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 散装
最小包装数量: 1

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