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GermanyA2C50S65M2-F
元器件型号详细信息
原厂型号
A2C50S65M2-F
摘要
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
托盘
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
功率 - 最大值
208 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
4.15 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
ACEPACK™ 2
基本产品编号
A2C50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/STMicroelectronics A2C50S65M2-F
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规格书
1(A2C50S65M2-F)
视频文件
1(Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles)
HTML 规格书
1(A2C50S65M2-F)
EDA 模型
1(A2C50S65M2-F by Ultra Librarian)
价格
数量: 18
单价: $519.18722
包装: 托盘
最小包装数量: 18
包装: 托盘
最小包装数量: 18
替代型号
-