元器件型号详细信息

原厂型号
NTJD4401NT1G
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
详情
MOSFET - 阵列 20V 630mA 270mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
65 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
630mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
375 毫欧 @ 630mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
46pF @ 20V
功率 - 最大值
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
NTJD4401

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

NTJD4401NT1GOS
NTJD4401NT1GOSTR
2832-NTJD4401NT1GTR
NTJD4401NT1GOS-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTJD4401NT1G

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规格书
1(NTJD4401N)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTJD4401N)

价格

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