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元器件型号详细信息
原厂型号
IS43R86400E-5BLI
摘要
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
详情
SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb 并联 200 MHz 700 ps 60-TFBGA（8x13）
原厂/品牌
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR
存储容量
512Mb
存储器组织
64M x 8
存储器接口
并联
时钟频率
200 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
700 ps
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
60-TFBGA
供应商器件封装
60-TFBGA（8x13）
基本产品编号
IS43R86400
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0028
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BLI
相关文档
规格书
1(IS43R86400E, IS4xR16320E, 32160E)
HTML 规格书
1(IS43R86400E, IS4xR16320E, 32160E)
价格
-
替代型号
型号 : AS4C32M16D1-5BIN
制造商 : Alliance Memory, Inc.
库存 : 70
单价. : ¥49.13000
替代类型. : 参数等效
库存 : 70
单价. : ¥49.13000
替代类型. : 参数等效
型号 : AS4C64M8D1-5BIN
制造商 : Alliance Memory, Inc.
库存 : 4,282
单价. : ¥47.30000
替代类型. : 参数等效
库存 : 4,282
单价. : ¥47.30000
替代类型. : 参数等效