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元器件型号详细信息
原厂型号
IPW65R065C7XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ C7
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 17.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 850µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3020 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
171W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW65R065
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IPW65R065C7XKSA1
IPW65R065C7XKSA1-ND
SP001080116
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW65R065C7XKSA1
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1(IPW65R065C7)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C7 Spice Model)
价格
数量: 1000
单价: $48.14453
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $55.27694
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $84.9
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPZ65R065C7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 240
单价. : ¥95.32000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥87.69000
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