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GermanyNTMSD2P102R2SG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMSD2P102R2SG
摘要
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 2.3A（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
750 pF @ 16 V
FET 功能
肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
NTMSD2
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-NTMSD2P102R2SG
ONSONSNTMSD2P102R2SG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMSD2P102R2SG
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-
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-