元器件型号详细信息

原厂型号
TSM061NA03CV RGG
摘要
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 66A(Tc) 44.6W(Tc) 8-PDFN(3.1x3.1)
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
66A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1136 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
44.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN(3.1x3.1)
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
TSM061

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TSM061NA03CVRGGCT
TSM061NA03CV RGGDKR-ND
TSM061NA03CVRGGTR
TSM061NA03CV RGGTR
TSM061NA03CVRGGDKR
TSM061NA03CV RGGCT
TSM061NA03CV RGGCT-ND
TSM061NA03CV RGGDKR
TSM061NA03CV RGGTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG

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环保信息
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PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
1(TSM061NA03CV)

价格

-

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