元器件型号详细信息

原厂型号
SQD50N05-11L_GE3
摘要
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 50 V 50A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
11 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
52 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2106 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
75W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SQD50

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SQD50N05-11L_GE3CT
SQD50N05-11L_GE3-ND
SQD50N05-11L-GE3-ND
SQD50N05-11L_GE3DKR
SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L_GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3

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规格书
1(SQD50N05-11L-GE3)
PCN 组装/来源
1(SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQD50N05-11L-GE3)

价格

数量: 2000
单价: $6.19205
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $6.6507
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.0267
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.77
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
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