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GermanyMRF5812GR1
元器件型号详细信息
原厂型号
MRF5812GR1
摘要
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
详情
RF 晶体管 NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
15V
频率 - 跃迁
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值
1.25W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200mA
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
MRF5812
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
MRF5812GR1MITR-ND
MRF5812GR1MITR
MRF5812GR1MIDKR
MRF5812GR1TR-ND
150-MRF5812GR1CT
MRF5812GR1TR-NDL
MRF5812GR1MICT-ND
MRF5812GR1CT-ND
MRF5812GR1CT
MRF5812GR1DKR
Q7311112D
MRF5812GR1MICT
MRF5812GR1MIDKR-ND
150-MRF5812GR1TR-ND
150-MRF5812GR1DKR
150-MRF5812GR1TR
MRF5812GR1TR
MRF5812GR1DKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Microsemi Corporation MRF5812GR1
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规格书
1(MRF5812(G)R1,R2)
环保信息
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1(MRF5812(G)R1,R2)
价格
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替代型号
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