English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXTQ32N65X
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTQ32N65X
摘要
MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
详情
通孔 N 通道 650 V 32A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
61 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
Ultra X
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
135 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2205 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号
IXTQ32
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTQ32N65X
相关文档
规格书
1(IXTx32N65X)
PCN 设计/规格
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
HTML 规格书
1(IXTx32N65X)
价格
数量: 30
单价: $51.97633
包装: 管件
最小包装数量: 30
包装: 管件
最小包装数量: 30
替代型号
-