SQD19P06-60L

元器件型号详细信息

原厂型号

SQD19P06-60L_GE3

摘要

MOSFET P-CH 60V 20A TO252

详情

表面贴装型 P 通道 60 V 20A（Tc） 46W（Tc） TO-252AA

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

99 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

55 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

41 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1490 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

46W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

SQD19

其它名称

SQD19P06-60L_GE3-ND

SQD19P06-60L-GE3-ND

SQD19P06-60L-GE3

SQD19P06-60L_GE3TR

SQD19P06-60L_GE3DKR

SQD19P06-60L_GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3

价格

数量: 2000

单价: $5.3991
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000

数量: 1000

单价: $5.78475
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.32726
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.8697
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.376
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.72
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.78475
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.32726
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.8697
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.376
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.72
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : SQD19P06-60L_T4GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,095
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 参数等效

型号 : IRFR5305TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 56,224
单价. : ¥12.96000
替代类型. : 类似

型号 : NP20P06SLG-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 18,899
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 类似

型号 : TSM480P06CP ROG

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 10,814
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似

SXT22415DB17-16.384M TCN4227M016R0070 1808J2000124KDR RN73H1ETTP4421B25 PEC36DFDN

SQD19P06-60L_GE3

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