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20250725
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元器件资讯
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DMT10H009LSS-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMT10H009LSS-13
摘要
MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 13A(Ta),48A(Tc) 1.8W(Ta) 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Ta),48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2309 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
DMT10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMT10H009LSS-13
相关文档
规格书
1(DMT10H009LSS)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 06/Dec/2019)
价格
数量: 12500
单价: $3.34773
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.4785
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
替代型号
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