FDB039N06

元器件型号详细信息

原厂型号

FDB039N06

摘要

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 231W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.9 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

133 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

8235 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

231W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FDB039

其它名称

FDB039N06DKR

FDB039N06CT

FDB039N06TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB039N06

价格

-

替代型号

型号 : NP89N055PUK-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 1,580
单价. : ¥17.73000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA230N075T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥45.86140
替代类型. : 类似

型号 : PSMN004-60B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,462
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN4R6-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似

型号 : BUK964R4-40B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 9,659
单价. : ¥23.61000
替代类型. : 类似

型号 : IXTA230N075T2

制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥51.75000
替代类型. : 类似

型号 : IPB80N06S405ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥17.81000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA220N06T3

制造商 : IXYS
库存 : 223
单价. : ¥39.51000
替代类型. : 类似

型号 : IPB029N06N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,127
单价. : ¥18.76000
替代类型. : 类似

型号 : NP82N055PUG-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : IPB037N06N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似

SG-8018CA 13.8240M-TJHPA0 313322-2 8P1P014210NRBR1 ABM13W-80.0000MHZ-5-D2Y-T5 WP-2S

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