English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQB12N60CTM
元器件型号详细信息
原厂型号
FQB12N60CTM
摘要
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 12A（Tc） 3.13W（Ta），225W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2290 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），225W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FQB1
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB12N60CTM
相关文档
规格书
1(FQB12N60C, FQI12N60C)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Passivation Material 14/May/2008)
HTML 规格书
1(FQB12N60C, FQI12N60C)
价格
-
替代型号
型号 : FCD7N60TM
制造商 : onsemi
库存 : 20,036
单价. : ¥17.89000
替代类型. : 类似
库存 : 20,036
单价. : ¥17.89000
替代类型. : 类似
型号 : STB14NK60ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似
型号 : R6007ENJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似
库存 : 2
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似
型号 : STD7ANM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,101
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似
库存 : 2,101
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似
型号 : STB10N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似
型号 : IXFA10N60P
制造商 : IXYS
库存 : 336
单价. : ¥34.26000
替代类型. : 类似
库存 : 336
单价. : ¥34.26000
替代类型. : 类似
型号 : STB13NK60ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 867
单价. : ¥34.02000
替代类型. : 类似
库存 : 867
单价. : ¥34.02000
替代类型. : 类似