制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.25 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
235 pF @ 25 V
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)