English
Spain
Rusia
Italy
GermanyCY14B104N-BA20XIT
元器件型号详细信息
原厂型号
CY14B104N-BA20XIT
摘要
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
详情
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb 并联 20 ns 48-FBGA（6x10）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
4Mb
存储器组织
256K x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
20ns
访问时间
20 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFBGA
供应商器件封装
48-FBGA（6x10）
基本产品编号
CY14B104
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CY14B104N-BA20XIT
相关文档
规格书
1(CY14B104L/N)
产品培训模块
1(NVRAM (Nonvolatile RAM) Overview)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
HTML 规格书
1(CY14B104L/N)
价格
-
替代型号
-