IPG20N06S2L50ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPG20N06S2L50ATMA1

摘要

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

详情

MOSFET - 阵列 55V 20A 51W 表面贴装型 PG-TDSON-8-4

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压（Vdss）

55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

50 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 19µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

560pF @ 25V

功率 - 最大值

51W

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件封装

PG-TDSON-8-4

基本产品编号

IPG20N

其它名称

IPG20N06S2L-50-ND

448-IPG20N06S2L50ATMA1TR

IPG20N06S2L50ATMA1TR

IPG20N06S2L50ATMA1TR-ND

448-IPG20N06S2L50ATMA1CT

SP000613728

448-IPG20N06S2L50ATMA1DKR

INFINFIPG20N06S2L50ATMA1

2156-IPG20N06S2L50ATMA1

IPG20N06S2L-50

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1

价格

数量: 10000

单价: $3.3837
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $3.51588
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $3.70093
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.96525
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.0227
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.0798
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $7.799
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $8.74
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $3.70093
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.96525
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.0227
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.0798
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $7.799
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $8.74
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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ESQT-131-02-L-Q-430 SY100EL16VAKC HMC470ALP3ETR T540B107M003CH8710WAFL 845-019-558-408

IPG20N06S2L50ATMA1

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