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元器件型号详细信息
原厂型号
IAUS200N08S5N023ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 200A（Tc） 200W（Tc） PG-HSOG-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7670 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOG-8-1
封装/外壳
8-PowerSMD，鸥翼
基本产品编号
IAUS200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IAUS200N08S5N023ATMA1DKR
IAUS200N08S5N023ATMA1CT
SP001792362
IAUS200N08S5N023ATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IAUS200N08S5N023ATMA1
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规格书
1(IAUS200N08S5N023)
环保信息
1(RoHS Certificate)
HTML 规格书
1(IAUS200N08S5N023)
EDA 模型
()
价格
数量: 3600
单价: $19.25573
包装: 卷带（TR）
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