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20250510
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元器件资讯
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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
元器件型号详细信息
原厂型号
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
摘要
IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
详情
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 16Gb 1.866 GHz 200-WFBGA(10x14.5)
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
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技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
Automotive, AEC-Q100
包装
托盘
产品状态
在售
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量
16Gb
存储器组织
512M x 32
存储器接口
-
时钟频率
1.866 GHz
写周期时间 - 字,页
-
电压 - 供电
1.1V
工作温度
-40°C ~ 105°C(TC)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
200-WFBGA
供应商器件封装
200-WFBGA(10x14.5)
基本产品编号
MT53B512
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036
其它名称
MT53B512M32D2DS-053AAT:E
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E-ND
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
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