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GermanyDMN2026UVT-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN2026UVT-7
摘要
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 6.2A（Tc） 1.15W（Ta） TSOT-26
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.4 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
887 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.15W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TSOT-26
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
DMN2026
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN2026UVT-7DIDKR
DMN2026UVT-7DITR
DMN2026UVT-7DICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN2026UVT-7
相关文档
规格书
1(DMN2026UVT)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019)
HTML 规格书
1(DMN2026UVT)
价格
数量: 75000
单价: $0.86439
包装: 卷带（TR）
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