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20250504
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元器件资讯
库存查询
WNSC08650T6J
元器件型号详细信息
原厂型号
WNSC08650T6J
摘要
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
详情
二极管 650 V 8A 表面贴装型 5-DFN(8x8)
原厂/品牌
WeEn Semiconductors
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
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技术参数
制造商
WeEn Semiconductors
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
最后售卖
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 8 A
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
267pF @ 1V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘
供应商器件封装
5-DFN(8x8)
工作温度 - 结
175°C(最大)
基本产品编号
WNSC0
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/WeEn Semiconductors WNSC08650T6J
相关文档
规格书
1(WNSC08650T)
PCN 组装/来源
()
价格
数量: 3000
单价: $13.64149
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : WNSC5D08650T6J
制造商 : WeEn Semiconductors
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : MFR Recommended
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